N-type 4H-SiC 最佳工程解決方案

4H 碳化矽（4H-SiC）具有寬能隙、高載流子遷移率、高熱導係數及高度材料穩定性，是當前高功率電子元件、高頻器件與電力電子技術中不可或缺的基礎材料。其優異的物理特性，使其在新能源、電動車、快充設備及智慧電網等領域展現極高的應用價值。

為因應市場對高品質 SiC 單晶需求的快速成長，4H-SiC 可採用多種先進的晶體生長技術，包括：

TSSG（Top-seeded Solution Growth 頂部籽晶溶液生長法）

HTCVD（High-Temperature Chemical Vapor Deposition 高溫化學氣相沉積）

PVT（Physical Vapor Transport 物理氣相傳輸法）

其中，PVT 技術具備成熟度高、溫場可精準控制、原料純度高等優勢，可穩定生長大尺寸晶體。目前已成功量產 6 吋 4H-SiC 單晶，並逐漸邁向更大尺寸的製程能力。

外延品質與缺陷控制的關鍵性

隨著高壓、高功率元件對材料品質要求不斷提升，4H-SiC 外延層的位錯密度與缺陷控制成為技術競爭的核心。若外延層中存在：
一、螺旋位錯（Threading Screw Dislocation, TSD）
二、欠層位錯（Threading Edge Dislocation, TED）
三、堆疊錯（Stacking Faults, SFs）

均可能對器件的漏電、崩潰電壓與可靠度造成影響，並限制 4H-SiC 在先進應用中的發展。

因此，提升晶體生長過程的缺陷抑制能力、改善外延層結構品質、降低整體缺陷密度，是推動 4H-SiC 持續進步的關鍵工作。包括晶體成長條件最佳化、外延製程參數調控、晶圓後段加工缺陷管理等，皆是決定最終晶片性能的重要環節。

致力於提供高品質 N-type 4H-SiC

我們秉持材料科學與製程工程雙軌並進的精神，從單晶生長、外延成長、晶圓加工到缺陷檢測，建構完整的 SiC 垂直整合能力。透過累積技術經驗與持續優化製程參數，我們致力於打造高均勻度、低缺陷密度且具產業競爭力的 N-type 4H-SiC 材料平台，協助客戶在新能源車、工控及電力電子應用中獲得最佳效能。

Product and Technology

N-type 4H-SiC 最佳工程解決方案

外延品質與缺陷控制的關鍵性

致力於提供高品質 N-type 4H-SiC

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