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隨著摩爾定律（Moore’s Law） 放緩，晶片微縮成本急劇上升，業界開始藉由系統級封裝（SiP, System-in-Package）與晶片堆疊（3D IC）等技術，在封裝層面提升運算效能與功能密度。先進封裝由多元件整合為一體來縮短訊號路徑，主要利用重佈線（RDL, Redistribution Layer）和矽穿孔技術（TSV, Through Silicon Via）使各式元件彼此之間進行連接來提高整體效能。
傳統封裝的著重於保護晶片、導出訊號與散熱，而先進封裝更進一步在實現晶片間的高密度整合與高效能互連。先進封裝包含多晶片模塊、3D IC、2.5D IC、異構集成、扇出晶圓級封裝、系統級封裝、絎縫封裝、將處理器和存儲器組合在單個封裝中、晶片堆疊、封裝中的多個芯粒或晶片、這些技術的組合等等。
隨著AI運算所需的高階伺服器應用，市場普遍預測先進封裝的年複合成長率為7%~8%，高於傳統封裝之2%~3%，未來將繼續成為半導體發展的主軸。
Schematics of 2.5D package
(a) The top view of chip-on wafer and (b) chip-on-TSI-on-substrate
CoC-First assembly: (a) before reflow and (b) after reflow (Courtesy of Institute of Microelectronics).
Ref : Heterogeneous 2.5D integration on through silicon interposer
